BSM300C12P3E301
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Número de pieza NOVA:
312-2291937-BSM300C12P3E301
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSM300C12P3E301
Embalaje estándar:
4
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module | |
| Número de producto base | BSM300 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 300A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.6V @ 80mA | |
| Función FET | Standard | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1360W (Tc) | |
| Otros nombres | 846-BSM300C12P3E301 |
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