SIRA20BDP-T1-GE3

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIRA20
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	82A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	+16V, -12V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	9950 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Otros nombres	742-SIRA20BDP-T1-GE3TR 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT

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