PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Número de pieza NOVA:
312-2290042-PMPB215ENEAX
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMPB215ENEAX
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN2020MD-6 | |
| Número de producto base | PMPB215 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.7V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 215 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) | |
| Otros nombres | 1727-8340-2 1727-8340-1 934067477115 1727-8340-6 PMPB215ENEAX-ND |
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