SI2304DS,215
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
Número de pieza NOVA:
312-2314344-SI2304DS,215
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI2304DS,215
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 195 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 830mW (Tc) | |
| Otros nombres | SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND 568-5957-2 568-5957-1 568-5957-6 934056633215 |
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