IXTQ10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
Número de pieza NOVA:
312-2299289-IXTQ10P50P
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTQ10P50P
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P | |
| Número de producto base | IXTQ10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PolarP™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2840 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) |
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