SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2263257-SIDR668DP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIDR668DP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8DC | |
| Número de producto base | SIDR668 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| Otros nombres | SIDR668DP-T1-GE3DKR SIDR668DP-T1-GE3TR SIDR668DP-T1-GE3CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SIR846BDP-T1-RE3Vishay Siliconix
MAX31790ATI+Analog Devices Inc./Maxim Integrated- SIR680ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
MMBT3906-7-FDiodes Incorporated
SX1509BIULTRTSemtech Corporation
TPS3840DL40DBVRTexas Instruments
LTC4360ISC8-1#TRMPBFAnalog Devices Inc.
SIR668DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIDR170DP-T1-RE3Vishay Siliconix
