SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2285531-SIS110DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIS110DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número de producto base | SIS110 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 550 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) | |
| Otros nombres | SIS110DN-T1-GE3TR SIS110DN-T1-GE3DKR SIS110DN-T1-GE3CT |
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