BSZ088N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Número de pieza NOVA:
312-2290498-BSZ088N03MSGATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSZ088N03MSGATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 | |
| Número de producto base | BSZ088 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2100 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) | |
| Otros nombres | BSZ088N03MSGINCT BSZ088N03MSGATMA1TR BSZ088N03MSGXT IFEINFBSZ088N03MSGATMA1 2156-BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGINTR BSZ088N03MSGINTR-ND BSZ088N03MSGINDKR BSZ088N03MSG SP000311509 BSZ088N03MSGINCT-ND BSZ088N03MSGATMA1DKR BSZ088N03MSGINDKR-ND BSZ088N03MS G BSZ088N03MSGATMA1CT |
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