STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2273336-STB11NM80T4
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STB11NM80T4
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | STB11 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR |
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