IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Número de pieza NOVA:
312-2285463-IPD15N06S2L64ATMA2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD15N06S2L64ATMA2
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número de producto base | IPD15N06 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 19A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 14µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 354 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 47W (Tc) | |
| Otros nombres | INFINFIPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2TR IPD15N06S2L64ATMA2CT 2156-IPD15N06S2L64ATMA2 SP001063644 IPD15N06S2L64ATMA2DKR |
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