FDS86267P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Número de pieza NOVA:
312-2316309-FDS86267P
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDS86267P
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1130 pF @ 75 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
| Otros nombres | FAIFSCFDS86267P 2156-FDS86267P |
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