SI6423ADQ-T1-GE3
MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Número de pieza NOVA:
312-2268050-SI6423ADQ-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI6423ADQ-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSSOP | |
| Número de producto base | SI6423 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 168 nC @ 8 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5875 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SI6423ADQ-T1-GE3DKR 742-SI6423ADQ-T1-GE3CT 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR |
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