FDD5680

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Número de pieza NOVA:
312-2274922-FDD5680
Número de parte del fabricante:
FDD5680
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 60 V 8.5A (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1835 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Otros nombresONSONSFDD5680
2156-FDD5680

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