SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2281111-SQ2337ES-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ2337ES-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | SQ2337 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 620 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Tc) | |
| Otros nombres | SQ2337ES-T1_GE3TR SQ2337ES-T1_GE3DKR SQ2337ES-T1_GE3CT |
In stock ?Necesitas más?
0,53140 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
BAV19WS-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SI2347DS-T1-GE3Vishay Siliconix
ADA4610-4ACPZ-R7Analog Devices Inc.
MMBT5551-7-FDiodes Incorporated- SI2337DS-T1-E3Vishay Siliconix
LTC4359HDCB#TRMPBFAnalog Devices Inc.- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
1N4148WQ-7-FDiodes Incorporated
ZXGD3009E6TADiodes Incorporated- SQ2337ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- SQ2362ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
