IRF530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2290468-IRF530STRRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF530STRRPBF
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número de producto base | IRF530 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 14A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 670 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | |
| Otros nombres | IRF530STRRPBF-ND 742-IRF530STRRPBFDKR IRF530STRRPBFDKR-ND 742-IRF530STRRPBFCT IRF530STRRPBFDKR 742-IRF530STRRPBFTR IRF530STRRPBFTR IRF530STRRPBFTR-ND IRF530STRRPBFCT IRF530STRRPBFCT-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IRF530STRLPBFVishay Siliconix