IPB180P04P4L02ATMA2

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MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Número de pieza NOVA:

312-2289001-IPB180P04P4L02ATMA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB180P04P4L02ATMA2

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-3
Número de producto base	IPB180
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS®-P2
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 410µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	286 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	+5V, -16V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	18700 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	150W (Tc)
Otros nombres	448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR 448-IPB180P04P4L02ATMA2TR SP002319828 448-IPB180P04P4L02ATMA2CT