TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Número de pieza NOVA:
312-2282674-TPH1R005PL,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH1R005PL,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 45 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número de producto base | TPH1R005 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.04mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 99 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 45 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9600 pF @ 22.5 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Otros nombres | TPH1R005PLL1QCT TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PLL1QDKR TPH1R005PLL1QTR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
- SIR638ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
- TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- NVMFS5C420NLT1Gonsemi
- TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- SIDR638DP-T1-GE3Vishay Siliconix




