SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Número de pieza NOVA:
312-2263636-SCT3040KLHRC11
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCT3040KLHRC11
Embalaje estándar:
450
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 55A (Ta) 262W Through Hole TO-247N
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N | |
| Número de producto base | SCT3040 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 55A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.6V @ 10mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 107 nC @ 18 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1337 pF @ 800 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 262W |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
C3M0021120KWolfspeed, Inc.
SCT3040KLGC11Rohm Semiconductor
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
MSC025SMA120BMicrochip Technology
NTHL020N120SC1onsemi
SCT3040KRC14Rohm Semiconductor
G3R20MT12KGeneSiC Semiconductor- G3R40MT12KGeneSiC Semiconductor
- G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor
- G3R30MT12KGeneSiC Semiconductor
- SCT3030KLGC11Rohm Semiconductor
