IPT010N08NM5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8

Número de pieza NOVA:

312-2299069-IPT010N08NM5ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPT010N08NM5ATMA1

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	43A (Ta), 425A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 280µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	223 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	16000 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Otros nombres	SP005560711 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR 448-IPT010N08NM5ATMA1TR 448-IPT010N08NM5ATMA1CT