DMT6010LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Número de pieza NOVA:
312-2285243-DMT6010LFG-7
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DMT6010LFG-7
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 | |
| Número de producto base | DMT6010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 30A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.2W (Ta), 41W (Tc) | |
| Otros nombres | DMT6010LFG-7DITR DMT6010LFG-7DIDKR DMT6010LFG-7DICT |
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