IRF7495PBF

HEXFET POWER MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2314157-IRF7495PBF
Número de parte del fabricante:
IRF7495PBF
Embalaje estándar:
1

N-Channel 100 V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteInternational Rectifier
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieHEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 7.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1530 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Otros nombres2156-IRF7495PBF
IFEIRFIRF7495PBF

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