IPD50N06S4L08ATMA2

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

Número de pieza NOVA:

312-2287979-IPD50N06S4L08ATMA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD50N06S4L08ATMA2

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD50N06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.2V @ 35µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4780 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	71W (Tc)
Otros nombres	448-IPD50N06S4L08ATMA2DKR IPD50N06S4L08ATMA2-ND INFINFIPD50N06S4L08ATMA2 448-IPD50N06S4L08ATMA2CT SP001028664 2156-IPD50N06S4L08ATMA2 448-IPD50N06S4L08ATMA2TR