NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2277417-NTLJS7D2P02P8ZTAG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTLJS7D2P02P8ZTAG
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 7.9A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-PQFN (2x2) | |
| Número de producto base | NTLJS7 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 26.7 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2790 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 860mW (Ta) | |
| Otros nombres | NTLJS7D2P02P8ZTAGOSCT NTLJS7D2P02P8ZTAGOSTR NTLJS7D2P02P8ZTAGOSDKR |
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