CSD17309Q3
MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2280728-CSD17309Q3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD17309Q3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | |
| Número de producto base | CSD17309 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 18A, 8V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.7V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | +10V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1440 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.8W (Ta) | |
| Otros nombres | -CSD17309Q3-NDR -296-27250-1-ND 296-27250-6 296-27250-1 296-27250-2 |
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