BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2274739-BSS670S2LH6327XTSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSS670S2LH6327XTSA1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT23 | |
| Número de producto base | BSS670 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 540mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 2.7µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.26 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 75 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Otros nombres | BSS670S2L H6327DKR BSS670S2L H6327CT BSS670S2LH6327XTSA1CT BSS670S2L H6327DKR-ND BSS670S2L H6327-ND BSS670S2LH6327XTSA1TR BSS670S2LH6327XTSA1DKR SP000928950 BSS670S2L H6327CT-ND BSS670S2L H6327TR-ND BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327 |
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