SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2294507-SI2325DS-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI2325DS-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | SI2325 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 510 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 750mW (Ta) | |
| Otros nombres | SI2325DS-T1-GE3DKR SI2325DST1GE3 SI2325DS-T1-GE3TR SI2325DS-T1-GE3CT |
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