SQJ886EP-T1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SQJ886
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2922 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	55W (Tc)
Otros nombres	SQJ886EP-T1_GE3-ND SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1-GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3CT SQJ886EP-T1_GE3DKR SQJ886EP-T1_GE3TR

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