IXTK120N65X2

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MOSFET N-CH 650V 120A TO264

Número de pieza NOVA:

312-2278476-IXTK120N65X2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IXTK120N65X2

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-264 (IXTK)
Número de producto base	IXTK120
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Ultra X2
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-264-3, TO-264AA
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13600 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	1250W (Tc)