IGLD60R070D1AUMA3

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GANFET N-CH

Número de pieza NOVA:

312-2299765-IGLD60R070D1AUMA3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IGLD60R070D1AUMA3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-LSON-8-1
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	CoolGaN™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.6V @ 2.6mA
Función FET	-
Paquete / Caja	8-LDFN Exposed Pad
Vgs (Máx.)	-10V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	380 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	114W (Tc)
Otros nombres	448-IGLD60R070D1AUMA3DKR SP005557209 448-IGLD60R070D1AUMA3CT 448-IGLD60R070D1AUMA3TR