TSM090N03ECP ROG

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Número de producto base	TSM090
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	680 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	40W (Tc)
Otros nombres	TSM090N03ECP ROGTR TSM090N03ECP ROGTR-ND TSM090N03ECPROGTR TSM090N03ECP ROGDKR TSM090N03ECP ROGDKR-ND TSM090N03ECP ROGCT TSM090N03ECP ROGCT-ND TSM090N03ECPROGCT TSM090N03ECPROGDKR

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