SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2279487-SQM40N10-30_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQM40N10-30_GE3
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número de producto base | SQM40 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3345 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 107W (Tc) | |
| Otros nombres | SQM40N10-30_GE3-ND SQM40N10-30_GE3CT SQM40N10-30_GE3TR SQM40N10-30-GE3 SQM40N10-30-GE3-ND SQM40N10-30_GE3DKR |
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