CSD18542KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Número de pieza NOVA:
312-2290528-CSD18542KTTT
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD18542KTTT
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 170A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DDPAK/TO-263-3 | |
| Número de producto base | CSD18542 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200A (Ta), 170A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5070 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 250W (Tc) | |
| Otros nombres | 296-44124-2 296-44124-1 296-44124-6 |
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