FQA65N20
MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Número de pieza NOVA:
312-2264861-FQA65N20
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FQA65N20
Embalaje estándar:
450
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3PN | |
| Número de producto base | FQA65 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | QFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 32.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7900 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 310W (Tc) | |
| Otros nombres | FQA65N20OS FQA65N20FS FQA65N20-ND FQA65N20FS-ND |
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