SIS590DN-T1-GE3
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
Número de pieza NOVA:
303-2248129-SIS590DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIS590DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | - | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - | |
| Potencia - Máx. | 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SIS590DN-T1-GE3TR 742-SIS590DN-T1-GE3DKR 742-SIS590DN-T1-GE3CT |
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