DMN2029USD-13

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MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Número de pieza NOVA:

303-2246833-DMN2029USD-13

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

DMN2029USD-13

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	DMN2029
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	5.8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	18.6nC @ 8V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1171pF @ 10V
Potencia - Máx.	1.2W
Otros nombres	DMN2029USD-13DITR DMN2029USD-13DICT DMN2029USD-13DIDKR

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