BSZ215CHXTMA1

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

Número de pieza NOVA:

303-2248837-BSZ215CHXTMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSZ215CHXTMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ215
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	5.1A, 3.2A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.4V @ 110µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Función FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tipo FET	N and P-Channel Complementary
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	419pF @ 10V
Potencia - Máx.	2.5W
Otros nombres	448-BSZ215CHXTMA1DKR BSZ215CHXTMA1-ND INFINFBSZ215CHXTMA1 SP001277210 2156-BSZ215CHXTMA1 448-BSZ215CHXTMA1TR 448-BSZ215CHXTMA1CT

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