SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

303-2247499-SI7956DP-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI7956DP-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SI7956
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	26nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Potencia - Máx.	1.4W
Otros nombres	SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DP-T1-GE3DKR SI7956DP-T1-GE3CT SI7956DPT1GE3

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