SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Número de pieza NOVA:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIS932EDN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Número de producto base | SIS932 | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | |
| Función FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
| Potencia - Máx. | 2.6W (Ta), 23W (Tc) | |
| Otros nombres | SIS932EDN-T1-GE3TR SIS932EDN-T1-GE3CT SIS932EDN-T1-GE3DKR |
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