CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Número de pieza NOVA:

303-2247533-CSD85312Q3E

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

CSD85312Q3E

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-VSON (3.3x3.3)
Número de producto base	CSD85312
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Serie	NexFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	39A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Función FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2390pF @ 10V
Potencia - Máx.	2.5W
Otros nombres	-CSD85312Q3E-NDR TEXTISCSD85312Q3E 296-37187-6 2156-CSD85312Q3E 296-37187-1 296-37187-2 -296-37187-1 -296-37187-1-ND CSD85312Q3E-ND

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