CSD86330Q3D

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON

Número de pieza NOVA:

303-2250766-CSD86330Q3D

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

CSD86330Q3D

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-LSON (3.3x3.3)
Número de producto base	CSD86330Q3
Paquete / Caja	8-PowerLDFN
Serie	NexFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	920pF @ 12.5V
Potencia - Máx.	6W
Otros nombres	296-28216-2 TEXTISCSD86330Q3D 296-28216-6 -296-28216-1-ND -CSD86330Q3D-NDR 2156-CSD86330Q3D 296-28216-1

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