SI7220DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8

Número de pieza NOVA:

303-2247476-SI7220DN-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI7220DN-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
Número de producto base	SI7220
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.4A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Potencia - Máx.	1.3W
Otros nombres	SI7220DN-T1-GE3TR SI7220DNT1GE3 SI7220DN-T1-GE3DKR SI7220DN-T1-GE3CT

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