SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2249405-SI4900DY-T1-E3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI4900DY-T1-E3

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI4900
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	5.3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	665pF @ 15V
Potencia - Máx.	3.1W
Otros nombres	SI4900DY-T1-E3TR SI4900DY-T1-E3CT SI4900DYT1E3 SI4900DY-T1-E3DKR

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