SI9933CDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2247697-SI9933CDY-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI9933CDY-T1-GE3

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI9933
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	26nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	665pF @ 10V
Potencia - Máx.	3.1W
Otros nombres	SI9933CDY-T1-GE3TR SI9933CDYT1GE3 SI9933CDY-T1-GE3DKR SI9933CDY-T1-GE3CT

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!