FDS4935BZ

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MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2248774-FDS4935BZ

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDS4935BZ

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	FDS4935
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6.9A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	40nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1360pF @ 15V
Potencia - Máx.	900mW
Otros nombres	FDS4935BZDKR 2156-FDS4935BZ-OS FDS4935BZCT FAIFSCFDS4935BZ FDS4935BZTR

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