SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Número de pieza NOVA:

303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIZ322DT-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-Power33 (3x3)
Número de producto base	SIZ322
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20.1nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	950pF @ 12.5V
Potencia - Máx.	16.7W (Tc)
Otros nombres	SIZ322DT-T1-GE3DKR SIZ322DT-T1-GE3CT SIZ322DT-T1-GE3TR

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