HP8M31TB1

HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

Número de pieza NOVA:

303-2250016-HP8M31TB1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

HP8M31TB1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-HSOP
Número de producto base	HP8M31
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	8.5A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	N and P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Potencia - Máx.	3W (Ta)
Otros nombres	HP8M31TB1DKR HP8M31TB1TR HP8M31TB1CT

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