SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Número de pieza NOVA:

303-2250052-SQJ262EP-T1_GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQJ262EP-T1_GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Número de producto base	SQJ262
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Potencia - Máx.	27W (Tc), 48W (Tc)
Otros nombres	SQJ262EP-T1_GE3CT SQJ262EP-T1_GE3DKR SQJ262EP-T1_GE3TR

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