SIZ270DT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

Número de pieza NOVA:

303-2242476-SIZ270DT-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIZ270DT-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número de producto base	SIZ270
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27nC @ 10V
Función FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Potencia - Máx.	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Otros nombres	742-SIZ270DT-T1-GE3CT 742-SIZ270DT-T1-GE3DKR 742-SIZ270DT-T1-GE3TR

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