SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Número de pieza NOVA:

303-2251411-SI4501BDY-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI4501BDY-T1-GE3

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Matrices
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI4501
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12A, 8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	25nC @ 10V
Función FET	Logic Level Gate
Tipo FET	N and P-Channel, Common Drain
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V, 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	805pF @ 15V
Potencia - Máx.	4.5W, 3.1W
Otros nombres	SI4501BDY-T1-GE3DKR SI4501BDY-T1-GE3CT SI4501BDY-T1-GE3TR

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