BSM080D12P2C008
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Número de pieza NOVA:
303-2247558-BSM080D12P2C008
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSM080D12P2C008
Embalaje estándar:
12
Hoja de datos técnicos:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module | |
| Número de producto base | BSM080 | |
| Paquete / Caja | Module | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 13.2mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | - | |
| Función FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 800pF @ 10V | |
| Potencia - Máx. | 600W |
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